FPGA 主控单元实时比对设定温变曲线与芯片实际温度，通过 PID 算法动态调节制冷功率与加热电流，实现芯片结温的精准控制快速温度变化试验箱芯片可靠性

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快速温度变化试验箱芯片可靠性

产品性能

快速温度变化试验箱芯片可靠性

产品详情

基于 “热应力加速老化" 原理，通过四级复叠制冷系统（R170/R23/R508B 混合冷媒）与碳纤维加热膜协同作用，构建快速交变的温度场。芯片通过导热硅胶与温控台紧密贴合，温度变化直接作用于芯片本体，配合 3D 立体风道消除腔体温度梯度。

支持 JEDEC JESD22-A104H 等 12 项芯片可靠性测试标准程序一键调用，测试流程合规性提升 60%。具备 “温变 - 电参数" 同步分析功能，可自动生成失效概率曲线（Weibull 分布），缩短数据分析周期。采用磁悬浮压缩机 + 变频技术，能耗较传统设备降低 40%，同时运行噪音≤55dB，符合实验室环境要求。

主要用于芯片高低温循环测试（TC）、温度冲击测试（TS）、热疲劳可靠性验证等场景，可评估车规级 MCU、5G 射频芯片、功率半导体等在温变下的性能稳定性，提前暴露芯片封装开裂、键合线脱落、材料老化等潜在缺陷，为芯片量产前的可靠性筛选提供关键数据支撑。