广皓天快速温变试验箱验收苏州能讯高能半导体5GGaN功放管温变漏电特性达标

广东皓天检测仪器有限公司（简称 “广皓天"）宣布，快速温变试验箱在苏州能讯高能半导体有限公司（简称 “能讯半导体"）完成现场验收并正式投用，将专项服务于能讯 5G GaN 功放管温变漏电特性标定与可靠性验证，以极速温变模拟与高精度电参数同步监测能力，保障国产 5G 射频核心器件在宽温域工况下的漏电稳定性与工作可靠性，助力能讯半导体巩固第三代半导体氮化镓（GaN）领域技术优势。

能讯半导体作为国内家商用氮化镓电子器件生产企业、国家专精特新 “小巨人" 企业，深耕 5G 射频 GaN 功放管研发制造，产品广泛应用于 5G 宏基站、宽频带通信等领域，核心产品 DX1H3438140P 等 GaN 功放管在效率、增益及宽带特性上达到水平。5G GaN 功放管作为基站射频前端核心部件，需在 - 40℃至 125℃温变环境下高频切换工作状态，温度波动极易引发器件内部晶格缺陷、界面态电荷积累，导致漏电流漂移、性能衰减甚至失效，直接影响 5G 基站信号稳定性与覆盖质量。因此，快速温变试验箱成为精准表征 GaN 功放管温变漏电特性、筛选可靠性隐患的核心装备。

此次验收通过的广皓天快速温变试验箱，是针对第三代半导体 GaN 器件测试痛点定制的专用机型，精准匹配能讯半导体 5G 功放管严苛测试需求。设备采用双级复叠制冷系统与智能 BTC 平衡调温技术，温度范围覆盖 **-70℃至 150℃** 超宽温域，线性升降温速率达 5-25℃/min，可精准复现 5G 基站极寒启动、高温满载、昼夜温差骤变等全场景工况。控温精度 ±0.3℃、温场均匀性≤±1.5℃，搭配防静电测试托盘、电磁屏蔽层及高频电参数同步采集模块，可与 ATE 自动测试设备联动，实时捕捉 GaN 功放管在温变过程中微安级漏电流变化、阈值电压漂移等关键参数，精准标定温变漏电特性曲线。同时具备快速温变循环与稳态高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）等多模式测试能力，全面覆盖 GaN 功放管可靠性验证需求。

在能讯半导体 5G GaN 功放管测试中，广皓天快速温变试验箱将承担三大核心任务：一是温变漏电特性精准标定，以 15℃/min 速率实现 - 55℃至 125℃快速温变循环，同步采集漏电流、导通电阻等参数，建立温变 - 漏电关联模型，为器件设计优化提供数据支撑；二是工况可靠性验证，模拟 5G 基站高温满载（125℃）、低温启动（-40℃）等极限场景，开展上千次温变循环测试，排查封装分层、键合线疲劳、漏电漂移等潜在缺陷；三是量产品质一致性管控，建立标准化温变漏电测试流程，实现量产 GaN 功放管 100% 温变筛选，保障产品在全温域工况下漏电特性稳定、性能一致。

第三代半导体是我国战略科技力量自立自强的核心支撑，5G GaN 功放管国产化突破离不开严苛的环境可靠性测试。广皓天深耕快速温变试验箱研发制造十余年，产品已广泛应用于半导体、新能源汽车、航空航天等领域，凭借高精度温控、极速温变速率及半导体专用测试适配能力，获多家头部企业认可。此次验收投用，是广皓天在第三代半导体测试领域的重要布局，标志着国产快速温变试验箱在 5G 射频核心器件可靠性验证中实现关键应用。

未来，广皓天将与能讯半导体持续深化技术协同，基于快速温变试验箱拓展 GaN 器件全生命周期测试解决方案，助力能讯 5G GaN 功放管持续优化温变漏电特性、提升可靠性水平，共同推动国产第三代半导体技术跻身梯队，为我国 5G 通信产业高质量发展注入强劲动力。